Пленарные доклады
Аношин Олег Сергеевич, Гришнова Н.Д., Полежаев Д.М., Радьков Ю.Ф., Зайцев А.В., Котков А.П.
АО «НПП «Салют», Нижний Новгород
«Получение высокочистых материалов для полупроводниковых применений»
Бердников Владимир Степанович, Винокуров В.А., Винокуров В.В., Гришков В.А., Кислицын С.А., Митин К.А., Михайлов А.В
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
«Закономерности сопряженного конвективного и радиационно-конвективного теплообмена в методах направленной кристаллизации расплавов»
Кобелева Светлана Петровна, Щемеров И.В., Анфимов И.М., Колоколов Д.Г.
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва
«Состояние стандартизации в области измерения основных параметров полупроводниковых материалов»
Непомнящих Александр Иосифович, Елисеев И.А., Жабоедов А.П., Федоров А.М.
Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск
«Особо-чистые кварцевые концентраты, как необходимая основа получения кремния для солнечной энергетики и микроэлектроники»
Новиков Алексей Витальевич, Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Демидов Е.В., Дроздов М.Н., Ревин Л.С., Панкратов А.Л., Антонов А.В., Красильникова Л.В., Шмырин Д.А., Ситников С.В., Щеглов Д.В. Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
«Эпитаксиальные Si/SiGe и Ge/GeSi структуры для квантовых вычислений»
Попов Владимир Павлович, Тарков М.С., Тихоненко Ф.В., Мяконьких А.В., Руденко К.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
«Энергоэффективные элементы ИС - сегнетоэлектрики в кремнии»
Руденко Константин Васильевич, Мяконьких А.В., Лукичев В.Ф.
Отделение ФТИ им. К.А. Валиева, Центр перспективной микроэлектроники НИЦ «Курчатовский институт», Москва
«Криогенные плазменные технологии в кремниевой микроэлектронике: 3D интегральные схемы или как продлить жизнь закона Мура»
Самардак Александр Сергеевич
Дальневосточный федеральный университет, Владивосток
«Спин-орбитроника - платформа для разработки электронной компонентной базы на новых физических принципах»
Тельминов Олег Александрович
АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», Москва
«Гетерогенная элементная база — основа построения нейроморфных процессоров с новыми архитектурами»
Якимов Евгений Борисович
Институт проблем технологии и особочистых материалов РАН, Черноголовка
«Следы за дислокациями в кремнии, 50 лет исследований»